大家一致认为，Micro LED会是终极的显示技术，无论从亮度、对比度还是可靠性方面，Micro LED技术都具有优势。当前，业内领先企业已经推出了Micro LED样品，只是还需进一步解决一些技术、工艺难题。

这些难题具体包括：良率、光效、小电流注入、外延材料、芯片加工、巨量转移、全彩化、控制、修复等。需要产业链从上游至下游共同努力攻关。据王江波介绍，华灿光电在外延、芯片方面已经做了很多工作，也正与下游合作伙伴针对转移方式、实现全彩化的方案上做探索。

另据权威行业机构判断，Micro LED的商业化进程从两方面切入：首先是大屏，代表产品包括电视、显示屏，其次是小屏幕，代表产品包括可穿戴设备、AR/VR设备。Micro LED将率先在这两个方向商业化。

综合来说，Mini直显RGB已大规模量产，P 1.2-P 0.3间距是未来的主力。随着Mini背光技术越来越成熟，在平板、大尺寸TV、电竞显示器、车载等应用上均会展现优势。

GaN材料在电力电子上的应用

GaN材料的另一个重要应用是电力电子器件，它通过逆变、升压、降压、变频、变相等手段来实现粗电变细电。市场也对电力电子器件提出了新要求，在能源管理、尺寸、转换效率、灵敏度等方面均有提升。GaN技术方面的优势正好可匹配这些要求，与传统Si功率器件比起来，GaN功率器件的电能转换效率更高，可实现更高的频率，且器件体积更小、功率密度更大。

GaN功率器件的技术路线和应用主要有以下几种：一是D-Mode（耗电型）HEMT的技术路线，它包括以Transphorm为代表的方案，采取了Si MOS+GaN HEMT级联的方式；二是把硅基Driver和GaN HEMT进行合封，一定程度上解决电路串绕问题，其开关频率更低，但应用方式更简便，适合快充领域；三是采用负压直驱D-MODE GaN HEMT器件，其开关频率高，但方案复杂、成本较高；四是增强型E-Mode GaN基HEMT方案。