大家一致认为,Micro LED会是终极的显示技术,无论从亮度、对比度还是可靠性方面,Micro LED技术都具有优势。当前,业内领先企业已经推出了Micro LED样品,只是还需进一步解决一些技术、工艺难题。
这些难题具体包括:良率、光效、小电流注入、外延材料、芯片加工、巨量转移、全彩化、控制、修复等。需要产业链从上游至下游共同努力攻关。据王江波介绍,华灿光电在外延、芯片方面已经做了很多工作,也正与下游合作伙伴针对转移方式、实现全彩化的方案上做探索。
另据权威行业机构判断,Micro LED的商业化进程从两方面切入:首先是大屏,代表产品包括电视、显示屏,其次是小屏幕,代表产品包括可穿戴设备、AR/VR设备。Micro LED将率先在这两个方向商业化。
综合来说,Mini直显RGB已大规模量产,P 1.2-P 0.3间距是未来的主力。随着Mini背光技术越来越成熟,在平板、大尺寸TV、电竞显示器、车载等应用上均会展现优势。
GaN材料的另一个重要应用是电力电子器件,它通过逆变、升压、降压、变频、变相等手段来实现粗电变细电。市场也对电力电子器件提出了新要求,在能源管理、尺寸、转换效率、灵敏度等方面均有提升。GaN技术方面的优势正好可匹配这些要求,与传统Si功率器件比起来,GaN功率器件的电能转换效率更高,可实现更高的频率,且器件体积更小、功率密度更大。
GaN功率器件的技术路线和应用主要有以下几种:一是D-Mode(耗电型)HEMT的技术路线,它包括以Transphorm为代表的方案,采取了Si MOS+GaN HEMT级联的方式;二是把硅基Driver和GaN HEMT进行合封,一定程度上解决电路串绕问题,其开关频率更低,但应用方式更简便,适合快充领域;三是采用负压直驱D-MODE GaN HEMT器件,其开关频率高,但方案复杂、成本较高;四是增强型E-Mode GaN基HEMT方案。